Analysis of the Electrical Parameters of SOI Junctionless Nanowire Transistors at High Temperatures
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Metal-Gated Junctionless Nanowire Transistors
Junctionless Nanowire Field-Effect Transistors (JNFETs), where the channel region is uniformly doped without the need for source-channel and drain-channel junctions or lateral doping abruptness, are considered an attractive alternative to conventional CMOS FETs. Previous theoretical and experimental works [1][2] on JNFETs have considered polysilicon gates and silicon-dioxide dielectric. However...
متن کاملthe analysis of the role of the speech acts theory in translating and dubbing hollywood films
از محوری ترین اثراتی که یک فیلم سینمایی ایجاد می کند دیالوگ هایی است که هنرپیش گان فیلم میگویند. به زعم یک فیلم ساز, یک شیوه متأثر نمودن مخاطب از اثر منظوره نیروی گفتارهای گوینده, مثل نیروی عاطفی, ترس آور, غم انگیز, هیجان انگیز و غیره, است. این مطالعه به بررسی این مسأله مبادرت کرده است که آیا نیروی فراگفتاری هنرپیش گان به مثابه ی اعمال گفتاری در پنج فیلم هالیوودی در نسخه های دوبله شده باز تولید...
15 صفحه اولanalysis of power in the network society
اندیشمندان و صاحب نظران علوم اجتماعی بر این باورند که مرحله تازه ای در تاریخ جوامع بشری اغاز شده است. ویژگیهای این جامعه نو را می توان پدیده هایی از جمله اقتصاد اطلاعاتی جهانی ، هندسه متغیر شبکه ای، فرهنگ مجاز واقعی ، توسعه حیرت انگیز فناوری های دیجیتال، خدمات پیوسته و نیز فشردگی زمان و مکان برشمرد. از سوی دیگر قدرت به عنوان موضوع اصلی علم سیاست جایگاه مهمی در روابط انسانی دارد، قدرت و بازتولید...
15 صفحه اولanalysis of reading comprehension needs of the students of paramedical studies: the case of the students of health information management (him)
چکیده ندارد.
15 صفحه اولInvestigation of the Performance of Carbon Nanotube and Silicon Nanowire Junctionless Transistors using First–Principle Calculations
In this work, we present atomic scale simulation of junctionless semiconducting single–walled carbon nanotubes field effect transistors (CNT–FETs) and compare their performance to silicon nanowire (SiNW) transistors with similar dimensions. The energy dispersions relations for p–type SiNW and CNT are compared. The response of the transistors to source–drain bias and gate voltage is explored. Co...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: IEEE Journal of the Electron Devices Society
سال: 2021
ISSN: 2168-6734
DOI: 10.1109/jeds.2021.3051500